Intel Foundry uruchamia litografię High NA EUV

W Hillsboro, w stanie Oregon, firma Intel Foundry osiągnęła znaczący postęp w produkcji zaawansowanych półprzewodników, montując pierwszy na świecie komercyjny skaner litograficzny High Numerical Aperture (High NA) Extreme Ultraviolet (EUV). Ten nowy skaner, oznaczony jako TWINSCAN EXE:5000, opracowany przez ASML, jest obecnie w trakcie kalibracji i przygotowywany jest do uruchomienia.

Wprowadzenie technologii High NA EUV pozwoli na produkcję elementów o znacznie większej precyzji i gęstości, co jest kluczowe dla rozwoju najnowszych chipów wykorzystywanych w sztucznej inteligencji i innych nowoczesnych technologiach. Jak wskazuje Mark Phillips, Intel Fellow i Director of Lithography, Hardware and Solutions, narzędzie to umożliwi znaczące przyspieszenie w skali produkcji oraz poprawę rozdzielczości w nadchodzących procesach Intel 18A i kolejnych.

Oczekuje się, że zastosowanie High NA EUV przyniesie możliwość drukowania elementów do 1,7 razy mniejszych od tych, które można było uzyskać za pomocą obecnych technologii, co pozwoli na uzyskanie do 2,9 razy większej gęstości układów na chipach. Ta innowacja ma przyczynić się do dalszego podążania za prawem Moore’a, które mówi o corocznym podwajaniu liczby tranzystorów w układach scalonych.

Intel ściśle współpracuje z ASML i już zapowiada użycie nowych generacji maszyn

Amerykański gigant, współpracując z ASML, wykorzysta zarówno obecne narzędzia EUV o aperturze 0,33NA, jak i nowe 0,55NA, do produkcji zaawansowanych chipów, począwszy od testów na procesie 18A w 2025 roku. Firma ogłosiła również zakup nowej generacji systemu TWINSCAN EXE:5200B, który zwiększy wydajność do ponad 200 wafli na godzinę.

TWINSCAN EXE:5000 dotarł do Oregonu w ponad 250 skrzyniach, co stanowiło wyzwanie logistyczne i techniczne, zważywszy na całkowitą wagę systemu przekraczającą 150 ton. Nie obyło się też bez opóźnień, bo pogoda płatała figle, a transport tak olbrzymich i delikatnych urządzeń wymaga spokoju i unikania jakichkolwiek niebezpieczeństw.

High NA EUV to kolejny etap w ewolucji litografii, wykorzystujący światło o długości fali 13,5 nm, emitowane przez potężne lasery. Zmiana konstrukcji optyki pozwoliła na znaczne zwiększenie zdolności zbierania i skupiania światła, co umożliwiło zmniejszenie rozmiaru tranzystorów do nieosiągalnych dotąd rozmiarów.