Samsung: układy 2 Gb DDR3 40 nm w masowej produkcji

22 lipca 2009 0 przez Grzegorz Pietrzak

Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji 2-gigabitowych układów pamięci DDR3 w 40-nanometrowym procesie technologicznym. Oprócz modułów RDIMM o pojemności 16 GB, 8 GB oraz 4 GB dla serwerów, Samsung wykorzysta nowe układy do produkcji modułów UDIMM do stacji roboczych i komputerów domowych oraz SODIMM do notebooków.

Według firmy badawczej iSuppli, 2-gigabitowe układy DDR3 w 2012 roku będą stanowiły 82% całego rynku DDR3 DRAM.


Źródło: Cdrinfo