Przełom w produkcji tranzystorów

5 maja 2011 0 przez Marcin Kaczmarek

Intel ogłosił wprowadzenie nowej technologii produkcji tranzystorów 3-D, określanych także mianem Tri-Gate (trójbramkowych). Zostaną one wykorzystane w procesie produkcyjnym 22 nm w układach “Ivy Bridge” pod koniec br. Technologia nie jest niespodzianką, bo została zapowiedziana przez firmę w 2002 roku, jednak teraz trafi do masowej produkcji.

Tranzystory wytwarzane w technologii 3-D Tri-Gate mają pionowo ustawione bramki, które są sterowane z trzech stron, co pozwala na lepsze kontrolowanie ich pracy. Dzięki temu cechują się niższym prądem w stanie wyłączenia, a także wyższym w stanie włączenia. Mogą pracować przy niższych napięciach zasilających niż dotychczas, mają wyższą szybkość przełączania i lepszą efektywnością energetyczną. Pozwolą uzyskać o 37 procent większą wydajność procesorów (w stosunku do 32-nanometrowego procesu produkcji) przy zachowaniu podobnego poziomu mocy albo podobną wydajność jak obecne układy, ale przy poborze energii zredukowanym o ponad połowę. Zatem zmiana poboru energii jest znacznie lepsza niż podczas zwykłego przejścia na mniejszy proces technologiczny.

Nowa technologia produkcji daje twórcom układów większą elastyczność w budowie układów półprzewodnikowych. Mogą one trafić do komputerów, telefonów komórkowych i innych urządzeń konsumenckich, a także komputerów wbudowanych. Podczas prezentacji prototypowych układów Ivy Bridge, Intel zademonstrował ich działanie w laptopie, komputerze stacjonarnym i serwerze.

Na stronie Intela pod podanym poniżej adresem znajduje się wiele ciekawych, technicznych materiałów na temat trazystorów 3-D Tri-Gate.