Pierwsze tranzystory TFT na organicznych półprzewodnikach

Seiko Epson i JSR jako pierwszym udało się uzyskać warstwę krzemową o wysokiej jakości w procesach nakładania cieczy i druku atramentowego. Według Epson nowe tranzystory TFT wykazują duży potencjał i w najbliższym czasie metoda „procesu mikrocieczy” może zastąpić stare metody produkcji.
Ze względu na wciąż rosnący popyt na duże ekrany i kosztowny proces produkcji tranzystorów TFT organizacja ds. Rozwoju Nowych Energii i Technologii Przemysłowych (NEDO) zleciła badania, w ramach projektu o nazwie „Opracowanie technologii wytwarzania tranzystorów krzemowych z wykorzystaniem materiałów ciekłych”. Obecny proces wytwarzania tranzystorów TFT wymaga użycia dużych maszyn próżniowych oraz kosztownego sprzętu fotolitograficznego do przeniesienia wzorca, przez co jest drogi i potencjalnie szkodliwy dla środowiska.

Zastosowanie w procesie wytwarzania tranzystorów TFT ma wyeliminować w produkcji maszyny próżniowe i umożliwić tworzenie wzorców za pomocą metod używanych w druku atramentowym. Metoda ta ma przede wszystkim na celu obniżyć zużycie energii i czas produkcji. Nowa technologia wymaga jednak niezbędnych usprawnień, zwłaszcza w zakrasie niezawodności Z tego powodu nie zdecydowano się wprowadzić nowych tranzystorów na szeroką skalę w ekranach.

Nowy materiał do produkcji tranzystorów jest mieszaniną wodoru i krzemu w rozpuszczalniku organicznym. Tworzy warstwę krzemową, kiedy zostanie umieszczony na obracającym się podłożu i spieczony w obojętnej atmosferze. Sam proces produkcyjny jest podobny jak w przypadku konwencjonalnych tranzystorów LTPS TFT – różni się jedynie sposobem tworzenie warstwy krzemowej.

0 0 votes
Article Rating
Powiadomienia
Powiadom o
0 komentarzy
Inline Feedbacks
View all comments
0
Would love your thoughts, please comment.x
()
x