Intel: pamięci w 65 nm
Intel prezentuje pierwsze na rynku pamięci NOR flash Multi-Level Cell dla telefonów komórkowych wyprodukowane w technologii 65 nm.
Nowe produkty o pojemności 1 GB, oparte są na architekturze Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) i są całkowicie kompatybilne z dotychczas produkowanymi pamięciami wykorzystującymi proces technologiczny 90 nm. Rozpoczęcie dostaw nowych pamięci, przeznaczonych dla multimedialnych telefonów komórkowych z wbudowanymi megapikselowymi aparatami fotograficznymi, możliwością rejestracji wideo i szybkiego transferu danych, zbiegło się w czasie z wprowadzaniem na rynek nowej generacji telefonów komórkowych.
„Ogromna gęstość naszych układów 1GB pozwala na nieomal podwojenie dostępnej dla plików multimedialnych pamięci nawet najcieńszych i najmniejszych telefonów” – powiedział Darin Billerbeck, wiceprezes Intela i dyrektor Intel Flash Products Group -„W 2007 roku wprowadzimy na rynek oparte na 65-nanometrowej architekturze M18 układy o pojemnościach 512 MB, 256 MB i 128 MB”.
Nowe pamięci NOR MLC Intela to nie tylko duża pojemność i gęstość zapisu danych – to również duże prędkości zapisu i odczytu danych. Układy te pracują z częstotliwością 133 MHz, co pozwala na uzyskanie prędkości zapisu rzędu 1 MB/s, co jest wartością więcej niż wystarczającą nawet dla wbudowanych aparatów o rozdzielczości matrycy 4 megapikseli, czy wideo w standardzie MPEG-4.
Poza dwukrotnym zwiększeniem prędkości pracy pamięci w porównaniu z poprzednią generacją, inżynierom Intela udało się również znacznie zredukować ich zapotrzebowanie na energię, co bezpośrednio przekłada się na zwiększenie czasu pracy na bateriach.
