Taiwan Semiconductor Manufacturing Company zakomunikowało o rozpoczęciu produkcji układów w procesie 40 nm na skalę masową. Proces wykorzystuje 193-nanometrową litografię immersyjną, materiały z ultra niską stałą dielektryczną k oraz, opcjonalnie, technologię LPG (low-power triple gate oxide). Posunięcie to ustawia TSMC na przedzie półprzewodnikowej stawki – przed Samsungiem, IBM i UMC. Mimo, że wielu wytwórców przedstawiło swoje plany przejścia na proces
40 nm, tylko TSMC jest w tej chwili zdolne wykorzystywać go w produkcji
masowej.
Sugerując się problemami ekonomicznymi rynku IT, tajwański potentat już zapowiedział, że najprawdopodobniej w czwartym kwartale przyszłego roku jego fabryki użyją jedynie 75% swoich mocy produkcyjnych.
